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栅极长度低于 1nm 的垂直 mos2 晶体管

“-规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经-了原子级薄的二-钼 (mos 2 ) 晶体管，但栅极长度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 mos 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和 mos 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有- 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mv dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，mos 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”

sk海力士q1净利16亿美元

得益于这类芯片-

韩国这家第2大存储芯片大厂27日-，由于服务器芯片需求畅旺，2022年首季淨利狂增1倍近2兆韩元，约16亿美元。不过，因为手机芯片卖相不佳，-成本拖累，还有供应链供货问题等，it产品的消费能力从2022年开始减弱。

虽然是传统淡季，sk海力士上季营业利益还是增至2.9兆韩元，约23亿美元，并创2018年以来首季。不过，虽大幅高出2021年同期的1.3兆韩元，却低于市场预估的3.1兆韩元。至于营收则年增43%，至12.2兆韩元。sk海力士表示，藉著市场对服务器芯片需求不减，存储器事业可望在2022下半年-。同时，也会努力拉升良率来满足客户需求，即使现在面临零组件短缺，让芯片制造设备交货-，妨碍扩产以及产业升级进度。

半导体分析师-，2月时，同业的日本铠侠kioxia以及威腾电子western digital合资的nand快闪存储器工厂，不幸发生原料污染事件，反而造成nand产品价格出现季增现象。

sk海力士-，在维持获利为前提下，2022年存储芯片可望持续成长。

tdk：500亿日元砸向车用领域

近期，tdk公司-决定在北上工厂日本岩手县北上市建设新的mlcc工厂，以加强多层陶瓷电容器的生产。tdk表示，新工厂重点生产应用于电动汽车ev、自动驾驶和adas的高-性mlcc产品，计划于2023年3月开始建设，2024年6月完工，2024年9月开始量产。

目前，tdk未透露新工厂投资金额与产能信息，不过据日经--，此次tdk拟投资500亿日元约25.7亿元建造mlcc新工厂，预估2024年该公司整体mlcc产能将扩充至目前的2倍。同时，-还-，这是tdk 16年来首度兴建的电容新厂，也是tdk扩充电子零部件产能领域中金额高的一笔投资。

继intel、sk hynix之后，高通也想团购arm

业界周知，英伟达对arm发起收购在2月宣告失败后，软银寻求arm-ipo。在那之后，多家国际半导体半大厂先后表示愿意“团购”arm。国际电子商情31日从外媒获悉，美国芯片制造商高通ceo表示，有意与竞争-一同对arm发起“团购”...

据金融--，美国芯片制造商高通- cristiano amon表示，“我们有意愿投资，这是非常重要的资产，对于半导体产业发展-。”

amon提到，高通公司有兴趣与竞争-一起投资，如果进行收购的财团足够大，它可能会与其他公司一起直接收购


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